集成电路产业中溅射靶材的应用

      在半导体或微电子相关产业中,经常使用的溅射靶材如下所示：

      与其他产业相比,集成电路产业对于溅射靶材及溅射薄膜的需求是最高乃至最苛刻的。例如,对于溅射所淀积薄膜的厚度均匀性的要求,通常为3倍的厚度分布标准偏差(standarddeviation)应小于5%;另外,随着半导体布线宽度的不断减小,对于镀膜的夹杂物(inclusion)及缺陷(defect)的要求也愈来愈高。这些对镀膜质量的严格要求反映到溅射靶材时,即为溅射靶材料的微观结构及化学纯度应符合相应工艺要求。

      一般来说,溅射靶材的晶粒尺寸必须控制在100Λm以下,甚至其结晶结构的趋向性也必须受到控制,而在靶材的化学纯度方面,对于0.35Λm线宽工艺,要求靶材的化学纯度在4N5(99.995%)以上,0.25Λm线宽工艺,溅射靶材的化学纯度则必须在5N(99.999%),甚至6N(99.9999%)以上。而随着晶片尺寸逐渐增大(8～12英寸),相对来说所使用的溅射靶材尺寸也将随之增大。此外,除上述对溅射靶材在纯度与微观组织的要求外,靶材的形状也必须能满足溅射设备生产厂的需求(AppliedMaterials,Varian,Anelva及Ulvac等)。