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多晶硅靶材是什么

浏览数量:12     作者:欧凯靶材小编     发布时间: 2017-12-06      来源:欧凯靶材

多晶硅靶材是什么

  【疑问】多晶硅靶材是什么?


  多晶硅是一种重要的溅射靶材材料,使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层,可以使基体材料具备更好的光学、介电及抗蚀性能,被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。


  宝鸡欧凯靶材采用美国GT-Solar公司的多晶硅铸锭炉的铸造长晶工艺可制备出的硅靶材材料,具有纯度高、导电性优异、晶粒均匀等特点,硅材料最大尺寸可达1m×1m。结合本公司先进的金刚石带锯、金刚线切割、多线切割等先进加工设备及工艺,可制作出多种不同尺寸的靶材产品。


  铸造长晶工艺,是通过精确控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量,来实现液态硅从底部开始,逐渐向顶部的定向凝固,凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中,可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应,实现大多数金属元素的提纯,并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。


  铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂,其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金,其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定,电阻率最优值为0.02 ~0.05 Ω•cm,对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是,硼在硅中的分凝系数为0.8,会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应,即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布,并导致电阻率由铸锭底部到顶部逐渐减小。


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