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集成电路对溅射靶材纯度的要求

浏览数量:33     作者:本站编辑     发布时间: 2017-07-17      来源:本站

集成电路对溅射靶材纯度的要求

金属溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业(磁记录及光记录)和先进显示器产业。其中半导体集成电路制造对溅射靶材纯度的要求最高。

由于碱金属离子(% $?)会释放#射线,造成元器件产生软击穿;重金属(SB,%5,2F等)离子会产生界面漏电及氧元素增加等[)]。因此必须对原材料中该类元素的含量进行控制。

中国高纯(4,2O,$5,$<金属的提纯技术与工业发达国家的差距较大,目前能够提供的最高纯金属也远不能满足集成电路对溅射靶材的质量要求。

以铝为例:国内高纯 ?2执行 DE$!#FG$#标准,提供产品纯度为FF.FFFH,仅对@,,+4,<0,I&,J3,D",C,,<:,?-,;3!(种元素进行分析,通过减法获得纯度值,但是对于超大规模集成电路中非常敏感的杂质,如 K,L",M,CN等元素的含量并未进行分析,如果按照行业常规的全元素分析方法,我国生产的高纯?2的纯度实际还不到FFOFFH,远远不能满足集成电路制造用靶材的质量要求。


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